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纳米压印机CNI v2.1
纳米压印机CNI v2.1
纳米压印机CNI v2.1
CNI v2.1是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置,体积小,容易存放,最大可处理Ø100毫米(4英寸)所有形状和格式的印章和基板。该系统是手动装卸印章和基板,但所有处理器都是全自动的,专用软件用户可以完全控制压印过程。

纳米压印机特色:

  体积小巧,容易存放,桌面型;

  轻微复制微米和纳米级结构;

  热压印温度高达200°C

  可选的高温模块,适用于240°C

  UV 纳米压印,365nm曝光

  真空纳米压印(腔室可抽真空至0.1毫巴);

  纳米压印压力高达10巴;

  温度分布均匀、读数精准;

  笔记本电脑全自动控制,工艺配方编辑简单,完全灵活控制,自动记录数据;

  直径最大100毫米(圆形)腔室;

  腔室高度为20毫米,可扩展至45毫米;

  即插即用

  使用简单直观

  专为研发而设计

  提供安装和操作教程视频



纳米压印机应用:过去五年中,石墨烯的气体传感器引起了极大的兴趣,显示出单分子检测。

最近的研究表明,与非图案化层相比,石墨烯的图案化强烈地增加了灵敏度。

通过标准程序生长CVD石墨烯,然后转移到Si/SiO 2基板上进行进一步处理。如(Mackenzie2D Materials[http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述,使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。

使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻,将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃,6巴压力下压印10分钟,压力在70℃下释放。

通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中,并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。

发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约50000px2/Vs的载流子迁移率,之后具有10000px2/Vs的载流子迁移率处理,同时保持整体低掺杂水平。


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