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NXQ4000系列光刻机
NXQ4000系列光刻机
NXQ4000系列光刻机
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻即在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

系列型号(根据曝光基片的尺寸范围选择合适的型号)

NXQ4006 半自动型可处理大到6英寸的基片)

NXQ4008 半自动型可处理大到8的基片)


参数配置

项目名称

参数说明

曝光模式

接近式,接触式(接触接触真空接触

曝光分辨率

0.5um(真空接触模式)

基片尺寸

NXQ40065mm150mm的圆片或者方片

NXQ40085mm200mm的圆片或者方片

掩模尺寸

2”x2”9”x9”  2”x2”要求掩模转接托盘

对准台  

对准台扫描范围

+/-  16mm

X-Y 移动范围

+/-  3.8mm

Theta旋转范围

+/-  7 °

掩模/晶圆片间隙范围

0–180um

单面对准套刻精度

1.0um

双面对准套刻精度

1.5um(光学对准)    3um(红外对准)

Video  View

显微镜

移动范围

 左显微镜X移动范围

-22mm~晶圆边缘

     补偿物镜移动范围

-5.5mm  ~晶圆边缘

 右显微镜X移动范围

+22mm  ~晶圆边缘

     补偿物镜移动范围

+5.5mm  ~晶圆边缘

/左  显微镜Y移动范围

+/-  12.7mm

选配可扩展显微镜Y轴移动范围

+12.7mm,  -88mm

紫外曝光

光源系统

紫外灯源

350W/500(标配),500W/1000W(选配)

曝光波长范围

UV (350-450 nm)     (标配)

NUV(280-350nm)    (选配)

MIDUV(280-450nm)(选配)

DUV(220-280nm)     (选配)

紫外光强均匀性

小于±1%  @2英寸的基片

小于±2%  @4英寸的基片

小于±3%  @6英寸的基片

小于±4%  @8英寸的基片

系统

运行条件

电源输入

115VAC,/60 Hz  240VAC 50Hz

压缩气体

5.4 bar (80 PSI)

真空要求

-0.7 bar (21” Hg)

氮气(或清洁干燥气体)

3  bar (40 PSI)

外围条件

外形尺寸

1220mm  x 915mm x 1423mm (48” x 36”x 56”)

设备净重

217Kg ( 480 Lb)




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