纳米压印机应用：过去五年中，石墨烯的气体传感器引起了极大的兴趣，显示出单分子检测。

最近的研究表明，与非图案化层相比，石墨烯的图案化强烈地增加了灵敏度。

通过标准程序生长CVD石墨烯，然后转移到Si/SiO 2基板上进行进一步处理。如（Mackenzie，2D Materials，[http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述，使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。

使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻，将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃，6巴压力下压印10分钟，压力在70℃下释放。

通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中，并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。

发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率，之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理，同时保持整体低掺杂水平。