湿法刻蚀又称为湿化学刻蚀法。它主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应将待刻膜层溶解，以达到刻蚀的目的。湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节。适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理适用基底的尺寸范围型号可满足尺寸范围EDC-650-23小于或等于   6英寸（150mm）直径圆片或5x5英寸（125mm）边长方片EDC-650-8小于或等于   8英寸（200mm）直径圆片或7x7英寸（175mm）边长方片EDC-650-15小于或等于12英寸（300mm）直径圆片或9x9英寸（225mm）边长方片       

匀胶机有很多种称谓，英文叫Spin Coater或者Spin Processor，又称甩胶机、匀胶台、旋转涂胶机、旋转涂膜机、旋转涂层机、旋转涂布机、旋转薄膜机、旋转涂覆仪、旋转涂膜仪、匀膜机，总的来说，他们原理都是一样的，即在高速旋转的基片上，滴注各类胶液，利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上，厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同，也和旋转速度及时间有关。WS650系列匀胶机 自1985 年起，我们向遍布全球的生物化工和半导体材料科研领域的实验室提供表面涂敷工艺的解决方案，目前，全世界有超过12000套系统正在安全运行。适用旋涂材料的尺寸范围型号最小尺寸最大尺寸WS-650-23B标配为10 mm可选配到3mm或5mm   6英寸（150mm）直径圆片或5x5英寸（125mm）边长方片WS-650-8B标配为10 mm可选配到3mm或5mm   8英寸（200mm）直径圆片或7x7英寸（175mm）边长方片WS-650-15B标配为10 mm可选配到3mm或5mm     12英寸（300mm）直径圆片或9x9英寸（225mm）边长方片高性能马达驱动▪ 正向旋转：旋转速度范围1~12000RPM（可选反向旋转）；▪ 直流驱动马达（超过10年的使用历史）；▪ 超长使用寿命，自2007年至今性能良好 24小时x7天的连续不间断运行测试；▪ 伺服电极分辨率：可达4000p/rev；▪ 速度精度：1RPM；▪ 可重复精度：1RPM；▪ 获得NIST认证；SPIN3000分析软件▪ 批量存储，更容易查找曾经用过的工艺数据；通过软件可将实验数据通过标准的USB通讯接口批量输入输出；▪ 旋涂模拟，节约无谓的实验材料消耗；可预录入设定的数据（转速、时长和加速度）进行模拟，获取最佳的实验设定值和曲线（工艺步骤）后再进行实验▪ 实时记忆，这样的重复性才可信；类似于记录飞机飞行参数的“黑匣子”，可大大提高实验的可重复性。多种选配项可供选择滴胶分配方案：▪ 自动滴胶UD-3▪ EBR晶圆去边UD-3b▪ 集成式泵浦吸附式滴胶（适用于滴胶剂量大）▪ 单头手动分配▪ 多头手动分配    托盘方案：▪ 非真空托盘▪ 常用真空托盘▪ 碎片托盘▪ 卡式托盘▪ 高孔隙蜂窝托盘▪ 嵌入式托盘▪ 可定制       

小型狭缝涂布仪，针对有机发光二极管（OLED），有机光伏电池（OPV）和薄膜电池等领域使用的专业应用工具。可用的尺寸范围覆盖当前和下一代的基板尺寸，可旋转涂覆各种有机材料涂层。配套提供一个平台和加工组件，材料产量高（> 95%），运行和维护成本低，也适用大批量制造应用方案。与卷对卷和片对片沉积工艺相兼容，狭缝涂布是用于可扩展沉积薄膜的技术之一。其广泛的加工窗口确保稳定、无缺陷的沉积，适用于各种粘度的溶液。薄膜均匀度高，准确且可重复，厚度可通过改变流速和基材速度来控制。特征：▪ 体积小巧 - 紧凑型桌面设计,可放置在标准实验台，通风橱，甚至手套箱内。▪ 轻松设置 - 即插即用。不需要压缩气体或真空管线。▪ 高交叉网均匀性 - 分配溶液，流速均匀。可获得高均匀性的涂层，适用于各种粘度的溶剂。不锈钢槽模头可与广泛的材料兼容。▪ 通道厚度可变 - 可更换的不锈钢垫片，更改槽模通道的厚度。通过插入多个垫片，以100μm的间隔增加通道厚度。▪ 均匀的流量和厚度 - 槽模系统内置注射泵。用户可精确控制进入狭缝模头系统的溶液量，从而能精确和可重复地控制沉积膜的厚度。▪ 温度控制 – 操作台上的内置热板，基板温度控制在最高温120°C。软件中可设置温度偏移量以适应高气流环境，校正基板和热板温度之间的差异。通过降低表面张力控制基材温度可改善溶液的润湿性，同时干燥速率也可以改变沉积膜的纳米结构。▪ 基板速度范围广 - 操作平台可平稳，连续的移动。电机以低至 1mm / m的速度到高达50mm / s的速度移动。▪ 精确校准 - 通过使用三点校平系统和高精度千分尺，可精确校准操作台头部。仔细对准使系统在操作台行程长度上实现低至1um / cm的高度变化。▪ 头部高度控制 -通过调整狭缝模头的高度，改善弯月面的稳定性，改变最小湿膜厚度。内置软件：狭缝涂布机内置系统软件。高清全彩色LCD液晶显示屏，内置软件可编程复杂的多步骤过程，系统的不同部分可独立控制。不需要任何外部计算机控制。系统能够保存20个不同的程序，每个程序最多包含50个步骤。用户可选择各种溶液分配速度，分配量，分配时间，阶段速度和移动的距离。结合简单易用的控制面板和用户界面，系统编程可快速完成。应用：到目前为止，夹缝涂布机的应用有很多，其中包括：•有机光伏•有机场效应晶体管•导电聚合物•纳米线•纳米管•2D材料•有机发光二极管•钙钛矿光伏•钙钛矿发光二极管•染料敏化太阳能电池还有很多...       

狭缝式涂布技术狭缝涂布( SlotDie Coating)技术利用精密机械加工所制作的模块，由涂布模具相对于基片作精确运动，通过控制速率、精密计量和泵送工艺流体,将液体化学材料挤出涂布于移动的基板(玻璃、不锈钢和塑料等)上形成薄膜。涂膜厚度可由液体流量与基板移动速度直接计算，其优点为涂膜均匀性高、可适用的涂料黏度范围广、涂布速度快、以及可制作大面积的涂膜。高精度狭缝挤出式涂布机（可适配于套箱）涂布间隙控制：高精准，动态控制涂布头高度(z轴)；模具运动控制：在涂布方向上(x轴)精确控制模具的运动轨迹(包括加速和减速参数)；模具设计：针对高一致性、化学兼容性、低充填容量和条状涂布进行模具设计制造；涂布控制：涂布速率(稳态涂布)和涂布轮廓(前后边缘)的高精度数字化控制；控制软件：所有配方参数，数据监控和反馈控制，数据采集分析。 应用领域：1. 平板显示   2. LCD/OLED3. 触摸屏4. 太阳能光伏5. CIGS,CdTe,OPV和C-Si6. 高附加值玻璃7. 可调光智能玻璃，博物馆用玻璃8. 半导体，微机电系统，无线射频识别，聚合物电池9. 各种有机及打印电子器件 设备参数：基底：玻璃，多孔质基材，金箔，硅片基底厚度： 2-10mm基材长宽：MAX120X120mm涂层用度(温厚)：2-1000um固含量：10-50%粘度：1-2000cps涂布方式：狭缝挤出式涂布涂布宽度：外宽MAX120mm（实际工作100mm）涂布平台速度：1-30mm/S平台平整度：±1.5um电源：220V X 50Hz出胶速度：1-500uL/s       

等离子清洗机(plasma cleaner)也叫等离子清洁机，或者等离子表面处理仪，是台式电感耦合等离子设备，是表面清洁、表面处理和表面改性的优秀工具。等离子体处理可应用于各种材料，包括金属、陶瓷、复合材料、塑料、聚合物和生物材料。我们的等离子体清洗机可用于广泛的表面工程应用，包括表面清洁、表面消毒、表面活化、表面能改变、粘合和粘附的表面处理、表面化学改性，以及通过活化、接枝和表面涂层对聚合物和生物材料进行表面处理。我们的产品专为实验室和研发用途而设计。它们提供廉价、紧凑的功能。主要应用领域包括材料科学、微流体、聚合物科学、生物医学材料、光学以及牙科和医疗植入物和器械的消毒。请选择合适的配置：应用领域：纳米级清洁等离子体表面处理可以去除纳米级有机污染物，改变表面化学性质，而不会影响块状材料。改变表面化学定制具有特定化学功能的表面通常对最佳材料性能至关重要。等离子体可以改变表面使其更亲水或更疏水，或者在不影响本体材料的情况下向表面引入特定的化学功能。器件制造等离子体能够通过共价键合（微流体器件）或通过促进中间环氧树脂、胶水或其他粘合剂的粘合潜力来制造器件。生物学与生物医学等离子体处理可以清洁、消毒和激活生物材料表面，提高生物相容性和抗生物污染特性。因此，血浆被广泛用于细胞接种、蛋白质吸附、生物材料涂层和植入物表面活化。表面图案化等离子体可以以各种方式用于促进表面图案化，这通常是制造多层器件（如太阳能电池、传感器和微流体芯片）所需的处理步骤。       

Tergeo桌面等离子清洗机实验室台式等离子清洗机，也称为等离子去胶机和等离子刻蚀机，可产生氧气、氩气、氮气、氢气、CF4、SF6、环境空气和水蒸气等离子体，用于样品清洗和蚀刻、表面润湿性改性、活化以及提高粘合性和附着力，光敏剂灰化等。Tergeo系列等离子体系统是一种真空等离子体设备，可以处理直径从小于4”到大于8”的样品。基于配方的全自动操作保证了结果的可重复性。▶ 典型的应用：•引线键合和封装前的集成电路芯片清洁；•TEM和SEM样品清洗以去除碳氢化合物污染；•亲水或疏水表面润湿性的等离子体处理；•表面处理，以提高环氧树脂/胶水的粘合强度；•光学、激光和通信的玻璃和光纤头清洁；•改善MEMS微流体器件的润湿性；•图案化后的光刻胶灰化和除垢；•设备解封装以进行故障分析；•隐形眼镜、医用植入物和其他类型的医疗器械表面处理和激活；▶ 设备型号:Tergeo全自动台式等离子清洗机 腔室直径为4.3英寸，深度为11英寸。高频1.356MHz射频功率(0-75W或0-150W)。适用于研究实验室和小批量生产。Tergeo-Plus等离子去胶机 腔室直径为6.3英寸，深度为11英寸。三种射频功率0-150瓦、0-300瓦、0-500瓦(13.56MHz)可选。用于研发、中低产量生产。Tergeo-Pro等离子刻蚀机 专门针对大尺寸基片而研发设计，腔室足够大，可容纳8英寸晶圆，一个或两个 25片/50片 6"/4"晶圆 的石英舟。标配0~150W，以1瓦间隔连续可调，自动阻抗匹配；可选配300W或500W(13.56MHz)。是工业客户和大学共用设施的理想选择。Tergeo-EM台式等离子清洗机 专用于SEM和TEM电镜样品清洗应用，已被世界各地的TEM实验室广泛接受。▶ 产品优势：清洗模式：直接模式和下游模式。用于两种等离子体清洗模式的双等离子体源。直接模式等离子体清洗用于高速蚀刻和表面改性；远程/下游模式等离子体清洗用于温和去除表面污染物，例如SEM/TEM样品清洗。连续和脉冲等离子体：脉冲比可以从100%(连续)变化到小于1%。Tergeo等离子体系统不仅能以1瓦的间隔调节射频功率，还能产生连续的脉冲等离子体。改变等离子体强度几个数量级以上。操作方法：自动配方执行；自动作业序列执行；人工操作。等离子体传感器：双等离子体强度传感器监控原位等离子体源和远程等离子体源。等离子体强度实时显示在LCD触摸屏上。先进的过程控制功能：压力传感器、温度传感器、MFC中的气体流量计、双等离子体强度传感器、自动阻抗匹配等功能。腔室材料：铝法兰和厚壁高纯度石英管增强了耐化学性，减少了耐热玻璃中的碱性杂质(钙、钾、钠)。电极设计：外置电极设计，高压电极不和等离子接触以避免金属溅射造成的样品污染射频电源：13.56MHz高频射频电源，自动阻抗匹配，用于原位等离子体源。气路控制：标配两路MFC；最多可选配三路MFC，0~100sccm之间精确控制气体流量。用户界面：7英寸触摸屏，用手指触摸，无需手写笔。程序控制：可编程，总共有20个程序，每个程序最多有3个清洁步骤。       

Tergeo-plus等离子去胶机目前，在半导体器件制造工艺中，特别是在用大园片投片进行研制和生产小、中、大规模集成电路中，用等离子去胶代替常规化学溶剂去胶及湿氧、高温干氧去胶，已显示出大的优越性。该工艺不仅操作简单，成本低，去胶速率高，基片温度低，表面清洁，不碎片，可节约大量的化学溶剂，消除丙酮、酸雾及废酸带来的环境污染，同时去胶完后，不用丙酮棉花对硅片表面拭胶。因而，可大幅度提高管芯成品率及器件可靠性。以下是典型应用列表:引线接合、倒装芯片底部填充、器件封装和解封装用于碳质污染物去除和氧化物还原的SEM/TEM样品清洁生物医学涂层前表面处理和改善医用植入物的亲水性环氧树脂粘合前的光学、玻璃和基板清洁光刻胶灰化、去渣和硅晶片清洗PDMS、微流体、载玻片和芯片实验室金属与金属或复合材料改进结合塑料、聚合物和复合材料改进粘合产品特点:大样品室(内径:160毫米，长280毫米)。足以容纳一个4英寸的晶舟和一个6英寸的晶片。清洗模式：直接模式和下游模式。用于两种等离子体清洗模式的双等离子体源。直接模式等离子体清洗用于高速蚀刻和表面改性的；远程/下游模式等离子体清洗用于温和去除表面污染物，例如SEM/TEM样品清洗。连续和脉冲等离子体。脉冲比可以从100%(连续)变化到小于1%。Tergeo等离子体系统不仅能以1瓦的间隔调节射频功率，还能产生连续的脉冲等离子体。改变等离子体强度几个数量级以上。操作方法：自动配方执行；自动作业序列执行；人工操作。等离子体传感器：双等离子体强度传感器监控原位等离子体源和远程等离子体源。等离子体强度实时显示在LCD触摸屏上。先进的过程控制功能：压力传感器、温度传感器、MFC中的气体流量计、双等离子体强度传感器、自动阻抗匹配。腔室材料：铝法兰和厚壁高纯度石英管增强了耐化学性，减少了耐热玻璃中的碱性杂质(钙、钾、钠)。样品架：2mm厚的高纯度石英板。腔体尺寸：内径:160毫米；外径:170mm深度280毫米。射频电极：与其他等离子清洁器中的内部金属电极相比，外部射频电极和天线设计减少了金属溅射。射频电源：13.56MHz高频射频电源，自动阻抗匹配，用于原位等离子体源。射频功率有三种选择:13.56MHz的150瓦、300瓦和500瓦。射频功率可以1瓦为间隔进行调整。13.56MHz射频电源产生的等离子体密度比低效率的KHz电源高得多。气体输入：最多三个MFC控制的气体输入(0~100sccm)。一个用于通风和吹扫的附加端口。英制世伟洛克压缩接头连接器。用户界面：7英寸触摸屏，用手指触摸，无需手写笔。程序控制：可编程，总共有20个程序。每个程序最多有3个清洗步骤。       

反应离子刻蚀系统RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干法蚀刻的一种方式，其原理是当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，对真空度，气体流量，离子加速电压等进行调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料，拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小，用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝， 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形笼式电极。PlasmaSTAR®系列等离子处理系统用于研究、工艺开发和批量生产。 PlasmaSTAR®系统可轻松集成到自动化生产线和系统中。该系统基于模块化设计理念，可适应各种PCB的尺寸。较典型的等离子处理工艺包括：▪ 等离子预处理▪ 光刻胶去胶▪ 表面处理▪ 各向异性和各向同性蚀刻▪ 故障分析应用▪ 材料改性▪ 封装清洗▪ 钝化层刻蚀▪ 聚酰胺刻蚀▪ 促进粘合▪ 生物医学应用▪ 聚合反应▪ 混合清洗▪ 预键合清洗基本系统PlasmaSTAR®通用基本系统包括必需的阀门、真空泵浦、射频电源、射频匹配器、工艺气体控制和系统控制。这些配置组合提供了一套全自动化等离子处理系统。通用基本系统可容纳不同的腔室和电极模块，这些模块可轻松放入其中。该系统可快速从一款普通的圆柱形等离子体处理系统转换为一款用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极系统或是带支架的混合等离子清洗系统。腔室/电极PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝。 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。 等离子体源该系统可选配LF（KHz）或13.56（MHz）射频电源以及自动匹配网络。真空泵浦系统该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油（惰性泵油），适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器（MFC）的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。电脑控制触摸屏电脑控制，提供无线程序存储。多步骤工艺简单易存。实时显示工艺条件。 该控制系统易于编程。 工艺处理可用条形码读取（选配）。规格PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（宽）x 850（深）x 525（高）mm；重量：约150 Kg。PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,033（宽）x 850（深）x 635（高）mm；重量：约220 Kg。       

紫外臭氧清洗机PSD&PSDP系列紫外臭氧清洗系统提供了一种有效的，但非破坏性的干法，分子擦洗，清洗，抗剥离，氧化，表面亲水改性，聚合物的改性处理，石墨，表面消毒，材料测试在恶劣的环境里进行。可使用氧气清洗或者直接使用空气方便而且经济。常见应用工艺：表面的原子级清洗聚合物粘接去除有机分子释放捕获的无机分子微流控制作微米/纳米构型紫外光固化表面化学改性表面杀菌表面氧化金属粘结准备处理材料：硅、氧化硅、金属、砷化镓氮化硅、云母、陶瓷、聚合物（有机玻璃）硼硅玻璃、石英、蓝宝石和其他材料。请根据下表选择合适的型号和配置：紫外臭氧设备分为PSD系列（标准版），PSDP系列（升级版）和PSDP-UVT系列（带加热功能版）三种，可以4~20英寸的材料处理，请参看详细资料。       

紫外清洗机又名紫外臭氧清洗机，或者UV清洗机，小型的也有叫紫外臭氧清洗仪或者紫外臭氧清洗器，英文名称为UV OZONE CLEANING SYSTEM。光清洗技术的应用范围十分广泛，目前在现代信息技术行业中使用光清洗技术比较普遍，随着我国工业现代化的发展，光清洗和光改质技术还将逐步应用于金属、塑料、橡胶等工业生产领域。我们所提供的紫外臭氧清洗系统是一种简单，经济，高效的材料表面清洗设备。只需把样品放置到托盘上，关上舱门，设置时间，按下运行按钮，就可以在几分钟内，快速去除大多数无机基材上的有机污染物，为您提供超洁净的表面。通过使用高功率紫外线光源产生臭氧，将污染物分解成挥发性化合物。 这些挥发性化合物从表面蒸发而不留痕迹。 这种方法可产生接近原子级的清洁表面并且不会损坏样品。应用工艺：•改善表面亲水性•表面清洗•准备薄膜沉积•表面处理•紫外固化•表面灭菌消毒•去除表面单分子膜•表面氧化•清洗 AFM / STM 探针•清洗光学元件可清洗的基材示例：石英、硅、氧化硅、氮化硅、金、镍、铝、砷化镓、矾土、玻璃、不锈钢可去除的污染物示例：光刻胶、树脂、人体皮肤油脂、清洗溶剂的残留物、塑料/硅片表面油渍、助焊剂产品特点：•成本低；•120x120mm样品台；•最大处理样品高度为14mm；•抽屉式样品台，简单方便；                               •样品台自安全联锁，防止对人身伤害；   •LCD屏显示“已用时间”和“剩余时间”；•60分钟计时器；•高强度紫外线灯源；•样品清洗无需溶剂；•超净表面。       

紫外固化是用紫外线（UV）来照射液态的“UV照射可硬化的材料”而使它硬化的制程, 我们称之为“UV Curing Process” 。UV固化（UV Curing或UV Coating）是光化学反应.UV固化与传统的干燥过程相似，但原理不同，传统的干燥一般借助于涂敷材料中溶剂的挥发而形成硬化，而UV固化交联则无溶剂挥发。全功能紫外光源Intelli-Ray 400/600设备技术参数功能简介技术参数高强度大面积UV固化紫外灯照射6×8英寸（150×200mm）的固化面积，光强分布均匀，UVA强度100mw/cm2。内置遮光型快门设备集成可伸缩遮光型快门，设定曝光时间，保护用户免受紫外辐射。   系统定时器UV灯在定时/自动模式下，可以设置1到9999秒曝光时间，在设定时间内，快门打开。在手动模式下，显示时间不断增加，直到手动停止曝光为止。灯泡强度光源强度可调（50%-100%，精度1％），适合对光强敏感材料的光固化应用。待机模式UV灯当快门关闭时，设备自动减少灯泡功率到50％，以减少额外的热量，增加元件的寿命。逻辑信号设备带有15针 D-SUB   外部PLC接口，可以远程监督和控制。PC串口控制设备带有RS232/RS485远程控制接口，而且可以通过Windows的图形交互界面，执行各项控制功能，甚至通过网络控制多套设备。 脚踏板控制 可选脚踏板控制。在自动/定时模式下，脚踏板触发定时器，实现设定时间的曝光；在手动模式下，按下脚踏板，快门就打开，松开脚踏板则快门关闭。系统指示灯前面板上安装有4个LED指示灯,分别指示：灯泡准备，系统待机，快门开启和系统报警。电源参数 220~240伏交流，50/60赫兹。强迫风冷设备内置带过滤功能的风扇及冷却系统，冷却所有元件，保证系统高可靠性。可选灯泡提供UVA,   UVB 和可见光谱灯泡，确保对所有胶水和涂层的适应性。       

ELC500 紫外固化箱ELC-500紫外固化箱，操作简单方便安全。三种波段灯泡可互换使用，365nm、365nm黑光灯，450nm；拥有倒数计时器，可调时间9分钟；安全间歇开关；固化完成报警功能；紫外箱内装有透明转盘，内壁附有透明板，可更好地将产生的光反射回去，使胶能最大化完全充分的曝光固化。ELC-500 365nm 波段产生功率为30mW/cm2 。       

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻即在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。Mask Alignment System紫外掩膜对准曝光系统NXQ4000系列半自动型恩科优（NXQ）4000系列半自动掩膜对准曝光系统，融合了独立的模块化设计，精准控制对准和曝光等特点。自动程序控制使得该系统易于操作存储和使用，适合实验室多用户使用。该系统以其卓越的性能，经济的价格，深受全球用户喜爱，截止2011年底，超过4000台NXQ光刻机遍布全世界的科研实验室、研发中心和工业生产线。适用领域（包括但不限于下述领域的光刻工艺）微电子LED/HB LED3D IC/晶圆制造工艺2.5D InterposerMEMSBioMEMS微流控芯片化合物半导体太阳能（HCPV）光电子系列型号（根据曝光基片的尺寸范围选择合适的型号）NXQ4006 半自动型（可处理大到6英寸的基片）NXQ4008 半自动型（可处理大到8英寸的基片）参数配置项目名称参数说明曝光模式接近式，接触式（软接触，硬接触，真空接触）曝光分辨率0.5um(真空接触模式)基片尺寸NXQ4006：5mm到150mm的圆片或者方片NXQ4008：5mm到200mm的圆片或者方片掩模尺寸2”x2”到9”x9”（   2”x2”要求掩模转接托盘）对准台   对准台扫描范围+/-   16mmX-Y 移动范围+/-   3.8mmTheta旋转范围+/-   7 °掩模/晶圆片间隙范围0–180um单面对准套刻精度＜1.0um双面对准套刻精度＜1.5um（光学对准）   ＜   3um（红外对准）Video   View显微镜移动范围   左显微镜X轴移动范围-22mm~晶圆边缘      补偿物镜移动范围-5.5mm   ~晶圆边缘   右显微镜X轴移动范围+22mm   ~晶圆边缘      补偿物镜移动范围+5.5mm   ~晶圆边缘右/左   显微镜Y轴移动范围+/-   12.7mm选配可扩展显微镜Y轴移动范围+12.7mm,   -88mm紫外曝光光源系统紫外灯源350W/500（标配），500W/1000W（选配）曝光波长范围UV (350-450 nm)     （标配）NUV(280-350nm)    （选配）MIDUV(280-450nm)（选配）DUV(220-280nm)     （选配）紫外光强均匀性 小于±1%   @2英寸的基片 小于±2%   @4英寸的基片  小于±3%   @6英寸的基片 小于±4%   @8英寸的基片系统运行条件电源输入115VAC,/60 Hz 或   240VAC 50Hz压缩气体5.4 bar (80 PSI)真空要求-0.7 bar (21” Hg)氮气（或清洁干燥气体）3   bar (40 PSI)外围条件外形尺寸1220mm   x 915mm x 1423mm (48” x 36”x 56”)设备净重217Kg ( 480 Lb)       

桌面式纳米压印机CNI v3.0桌面纳米压印工具，轻松复制微米和纳米级结构可用的腔室最多可支撑100mm或200mm晶圆CNI v3.0是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置，体积小，容易存放，最大可处理Ø100毫米（4英寸）所有形状和格式的印章和基板。该系统是手动装卸印章和基板，但所有处理器都是全自动的，专用软件用户可以完全控制压印过程。CNI v3.0 支持许多不同的技术，例如：• 热纳米压印• UV纳米压印• 热压印• µ-接触印刷• 聚合物粘连使用示例包括：• 纳米结构的烙印• 微观结构的烙印• 在硅上刻印具有纳米间距的光栅• 印在易碎的基材上 (例如III-V材料, InP)• 印章制作• 高纵横比结构的热压印• 聚合物片材的热压印• 热聚合物粘合产品特点：•   体积小巧，桌面型；•   轻微复制微米和纳米级结构；•   热压印温度高达250°C；•   UV 纳米压印，365nm处曝光；•   真空纳米压印（腔室可抽真空至1mbar）；•   压印压力0.3bar ~ 11 bar；•   温度分布均匀、读数精准；•   印模和基材尺寸: 直径最大为210mm(8英寸)；•   笔记本电脑全自动控制，工艺配方编辑简单，完全灵活控制，自动记录数据；•   即插即用；•   使用简单直观；•   手动装卸印模和基材；•   提供安装和操作教程视频；       

欧洲原装进口EMS高精密度热板带集成控制器，可以达到高精度的温度控制，用于实验室或者批量生产前期的预处理，根据不同的型号，处理温度可以从室温达到最高200℃，可选配250℃，温度均匀度设定界面的±1%。产品功能专用于科研实验室材料（硅片，玻璃片，晶圆片，薄膜材料）的加热和烘干，半导体器件制备过程中的光刻胶烘干工艺。工作原理利用电的热效应供热，以电流通过导体所产生热能量，通过电热原件将电能转化为热能传递到加热材料上，实现加热的目的。产品特点•持续加热， 加热均匀，升温快；• 采用微处理芯片精确控制温度，持续加热； • 特殊防腐材料，耐腐蚀，使用寿命长；技术参数             

NDK系列加热板设备特点：● 采用微机PID温度控制方式，可进行高精度的温度控制。 ● 显示部分采用可视性好的背景光照明液晶画面。 ● 基板材料：可选择陶瓷涂层、铝合金或不锈钢，具有非常好的耐腐蚀性。● 运用数据记录通讯专用软件（CD-ROM）和通讯电缆（选配），可以简单地用计算机进行管理。 ● 使用传感器K热电偶（选配），可以直接控制试样的温度。 ● 标准装备报警信号输出功能，在出现异常时可以停止其他设备和启动预备系统。技术参数：型号NDK-1A-INDK-2A-I使用温度范围室温10~350℃温度显示精度F.S ±2%温度分布精度±2℃传感器K热电偶安全装置自我诊断功能（上下限温度异常检测，加热器异常检测，传感器异常检测），异常加热放置装置（恒温器），过电流熔断器温度控制方式微电脑PID控制温度显示方式LCD数字显示（同时显示设定、测定温度、显示加热器输出线性图）定时功能设定范围为1分钟—99小时59分钟（1/min），支持传感器、上下限温度报警、报警信号输出，设定值存储，键锁定，自动调节功能。程序控制可设置8个步骤，重复次数最多可达9999次。顶板材质铝合金（陶瓷保护层）分辨率温度分辨率为0.1℃，时间分辨率为1分钟。加热尺寸170×170mm250×250mm外形尺寸240×280×70mm320×360×70mm加热功率670W890W             

高温钛板加热台加热台等用途可在光刻工艺中的涂胶后的软烘，暴光后烘，显影后的坚膜，磨片粘片熔腊等，它采用整体铸造，加热板作为加热体，增强了设备的安全性。采用单片机作为控制核心部件，有极高精准的控温精度，紧凑美观。该设备对一些温度敏感材料（如晶体、半导体、陶瓷等）进行加热和装卡尤为适用。加热台温度可达600℃，从常温加热到600℃时间不过20分钟，热台和设备主体之间的高度缘，保护其主体部分不会因为高温而损坏。技术参数： 设备型号带盖子的型号不带盖子的型号PZ 28-3TDPZ 28-3T加热盘尺寸280 x 200mm恒温加热表面尺寸230 x 160mm加热温度~600℃电压220V/50Hz功率2000W温度均匀性误差±2℃电缆长度（标准）1.5米外形尺寸350 x 300mm设备高度145110设备重量10Kg8Kg盒盖后的密闭工作空间26mm控制器特点：1、程序控制器运作，可选择加热，冷却和停止阶段，可以进行编程；2、利用微处理器实现加热程序编辑和控制；4、程序记忆功能；5、带蜂鸣自动报警，高效安全；6、可长时间连续工作；7、有5个档位，每个档位有三种程序设置。           

快速退火炉(Rapid Thermal Process)是一个简单稳定的热处理系统，适合于广泛尺寸为直径2~12英寸的基片材料和结构的快速热低温退火(RTA)，（如电子级硅、钢铁、玻璃、单晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、锗、超导体、陶瓷等等）。快速退火炉配有一个管状石英反应室或不锈钢腔体，因此可兼容处理长度为300毫米的样片。应用领域：- 注入退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 硒化(CIGS太阳能电池)；- 石墨烯和六方氮化硼的化学气相沉积；- 聚合物的热退火；- 掺杂剂的扩散；选型指南：1）Jipelec JetLight系列入门级退火炉入门级2英寸衬底快速热退火设备，具有真空功能，专用于研究应用。它旨在为实验室提供低成本的解决方案。2）AS-Micro系列经济型退火炉适用于大学、研究所实验室的经济型3英寸RTP系统；双室型，以避免交叉污染问题；可选手套箱接口。3）AS-One系列多功能退火炉用于快速热退火和CVD工艺开发的快速热处理炉，可处理4英寸(100毫米)和6英寸(150毫米)的基材。4）Jipelec JetFirst 300系列退火炉专为满足大学、R&D中心和小型生产单位的要求而开发的。JetFirst反应室可处理直径达12 "的样品。它具有气体混合和真空能力作为标准功能。             

原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积系统Atomic Layer DepositionAT410/AT610系列美国原装进ALD原子层沉积系统常被应用在各类半导体处理工艺领域，通过原子层沉积来制备薄膜，由于ALD 沉积系统价格昂贵，而望而却步。因此，本系统致力于以低廉合理的成本在小型尺寸（4~6英寸以内）上沉积出优秀的薄膜。应用范围原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的单片/多片沉积系统。AT410/AT610系统电气完全符合CE标准，广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。应用领域原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）2） 微电子机械系统（MEMS）3） 光电子材料和器件4） 集成电路互连线扩散阻挡层5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）6） 互连线势垒层7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）8） DRAM、MRAM介电层9） 嵌入式电容10） 电磁记录磁头11） 各类薄膜（<100nm）半导体领域晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光（TFEL）元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。纳米技术领域中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。技术参数基片尺寸：4英寸、6英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：±1℃；前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达5 个 ALD 前体源；PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无Elestamor O 型圈出现；氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟（同类最佳）；高纵横比沉积，具有良好的共形性；曝光控制，用于在3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地最小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如SEM / TEM 短截线       

这款膜厚仪的基本原理是利用白光反射光谱法来测量薄膜厚度。白光反射光谱法是一种分析材料光学性质的方法，它通过使用白光源照射待测物体，然后测量物体反射的光谱，以获取物体在不同波长下的反射率信息。它采用了自动化的测量方法，将薄膜样品放置在测量台上，光源发射的白光通过光纤被引导到反射探针，垂直入射到样品表面上。同时，反射探针收集反射光，将其引导至膜厚仪内置软件进行分析计算。通过分析不同波长的光在样品表面的反射率，可以得到材料的光学特性，如折射率、吸收率、透射率等。这款膜厚仪的优点是测量精度高、测量速度快、非接触式测量、适用于各种类型的薄膜材料。它广泛应用于半导体、有机电子、材料科学、聚合物、二维材料、涂层、光伏太阳能电池、生物传感……等领域。特点：1 、非接触式测量：避免物件受损。2 、三维表面测量：表面高度测量范围为 2nm ---500μm。3 、多重视野镜片：方便物镜的快速切换。4 、纳米级分辨率：垂直分辨率可以达0.1nm。5 、高速数字信号处理器：实现测量仅需几秒钟。6 、扫描仪：闭环控制系统。7 、工作台：气动装置、抗震、抗压。8 、测量软件：基于windows 操作系统的用户界面，强大而快速的运算。应用领域：聚合物和抗蚀剂表征、化学测量、电介质特性、生物医学、半导体、硬质涂层、光学涂层、非金属薄膜等。选型指南：1）FR-Pro基础型膜厚仪一款模块化且可扩展的平台，用于测试1nm-3mm厚度范围内的涂层2）FR-Scanner扫描型膜厚仪全自动，超快速，高精准等膜厚表征绘制和膜厚涂覆的光学特性3）FR-Portable便携式膜厚仪高精准，USB电源驱动便携式，满足用户实时需要4）FR-uProbe微米级薄膜表征一种独立工具适用于需要小至几um的光斑尺寸的应用如有测样需求，可点击此处填写表单，申请测样服务。             

1）F20薄膜厚度测量仪模块化设计，测量厚度从1nm 到10mm 的先进膜厚测量系统。2）F40薄膜厚度测量仪结合显微镜的膜厚测量系，通过分析待测膜层的上下界面间反射光谱，几秒钟内就可得到测量结果。3）F50 薄膜厚度测量仪自动化薄膜厚度绘图系统，可以非常简单快速地获得最大直径450毫米的样品薄膜的厚度分布图。