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MC方案｜针对大面积多层硅晶片如何才能快速准确测得膜厚？ 二维码
绝缘体上硅(SOI)晶片广泛用于MEMS微机电系统和CMOS集成电路制造。在硅衬底和硅上层之间使用绝缘层，通过降低电损耗，改善器件的性能，优于传统硅衬底上的器件。硅(SOI)晶片具有更强的抗辐射能力，更高的密度也增加了产量，从而提高了晶片利用率。硅(SOI)晶片的其他优点包括对温度的依赖性降低和天线问题减少。在MEMS微机电系统中，掩埋氧化物允许实现具有独特特性的悬浮膜。在本篇应用方案中，使用的是一个参数化红外扫描仪对一个硅化硅晶片的三层厚度进行测绘。 测试方法 研究的样品是一个4英寸的硅化硅晶片，上面有一个热二氧化硅层：二氧化硅/硅/二氧化硅/硅。所有的测量都是通过在370-1020纳米的光谱范围内工作的FR-Scanner工具上进行的，能够测量从12纳米到90微米的涂层厚度。该工具通过旋转载物台和在顶部线性移动光学头(极性扫描)以非常高的速度扫描被测样品，并且不弯曲反射探针。通过FR-Monitor监测软件产生的图案包括(在4英寸晶片的情况下)在(R，θ)位置的169个点，并且扫描持续不到30秒。 结果 在下图中，随机点上所有层的典型记录反射光谱(黑线)和拟合反射光谱(红线)，如在FR-Monitor监测软件上所见，与每层的映射轮廓一起显示。同时测量所有三层的厚度。色码引导眼睛观察每一层的厚度均匀性，并提供大量统计数据，例如：标准偏差、平均厚度值、对照用户设定的标准的合格点等。 介电顶层（SiO2层）
平均厚度= 794.10 nm 标准偏差= 1.370 合格样品= 120/168（71.4％） 器件层（Si层）
平均厚度= 630.56 nm 标准偏差= 1.774 合格样品= 120/168（71.4％） 底层（SiO2层）
平均厚度= 400.82 nm 标准偏差= 3.839 合格样品= 120/168（71.4％） 对于统计参数的计算和点分布的表示，可以根据统计计算参数排除一些点。这些被排除的点被认为是“极端”点，用户可以排除它们。例如，在上面给出的器件层(硅层)的映射轮廓中，168个点中的120个被包括在该范围内，因此晶片的合格区域代表其总面积的71.4%，在2D图中用颜色表示。
FR-Monitor监测软件的屏幕截图 结论 利用红外扫描仪对一个硅化硅晶片的所有层(二氧化硅层和硅层)同时进行厚度测绘。FR-Scanner是一种快速、准确的解决方案，可通过扫描对大面积或预选位置上的单层薄膜或多层薄膜进行表征。 ThetaMetrisis膜厚仪操作便捷，分析结果快速准确，多款型号，可满足广泛的应用范围，后期我们将持续为您推送更多实际应用案例，希望帮助您达到实验结果最优化。 产品询问表
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