MC方案｜氧等离子体去胶应用案例

等离子去胶办法，去胶气体为氧气。其工作原理是将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，加到1500V高压，由高频信号发生器产生高频信号，使石英管内形成强的电磁场，使氧气电离，形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱。活化氧（活泼的原子态氧）可迅速地将聚酰亚胺膜氧化成为可挥发性气体，被机械泵抽走，这样就把硅片上的聚酰亚胺膜去除了。等离子去胶的优点是去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保。

＞可参考下述去胶应用案例：

Tergeo等离子系统可以测量等离子发射光强度。等离子体发射光随不同的气体种类而变化很大。在氧等离子体光致抗蚀剂灰化过程中，会产生CO，CO2，H2O型副产物，这会大大改变等离子体的发射强度。因此，可以通过监视等离子体发射强度来监视灰化过程的进度。

等离子体发射强度读数

使用设备：Tergeo-plus；

射频功率：150W；

基片尺寸：4英寸晶圆；

光刻胶类型：Shipley 1813正型抗蚀剂，已固化；

氧等离子体光刻胶的灰化速度：

去除6英寸以内大小基底材料表面的光刻胶（如S1805，SPR-200，SU8胶，AZ胶等），基底材料如蓝宝石、石英片和硅片等，高性价比的设备有哪些？

>Tergeo和Tergeo Puls系列等离子去胶机

使用高纯度石英室和石英样品架，而不是低成本的派热克斯玻璃或铝，石英室和样品架可以减少金属室和电极上的金属溅射污染问题，它还可以减少派热克斯玻璃上发生的钙，钠和钾污染。

浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻；远程式等离子源，可用于二维材料清洗，用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化。

① 浸入式清洗模式

② 远程式清洗模式

如果不希望在去胶的时候也对下面硅片或者玻璃片有任何粒子溅射，可以加上远程等离子模式，因为远程模式仅仅只是中性氧原子氧化，没有离子溅射。

综合来看，如果是20万左右的预算，想买一台高性价比的等离子去胶机，那么这款Tergeo和Tergeo Puls值得一看。