MC半导体 | 光刻工艺流程

光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸准确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）

可使用等离子/紫外臭氧清洗机清洗硅片表面，清洗后，可使用接触角测量仪检测表面，再使用热板烘干。

推荐设备：

HPC系列小型等离⼦清洗机

Tergeo系列台式等离⼦清洗机

PSD系列紫外臭氧清洗机

UVL系列紫外臭氧清洗机

接触角测量仪

涂底（Priming）

气相成底膜，可使用沉积系统将硅片先镀一层膜。

推荐设备：

原子层沉积系统

PECVD沉积系统

旋转涂胶（Spin-on PR Coating）

涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂；b、动态（Dynamic）。低速旋转、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。

涂胶后，想测试匀胶是否均匀，可使用膜厚测试仪检测。

推荐设备：

650系列匀胶旋涂仪

小型台式匀胶旋涂仪

膜厚仪

软烘（Soft Baking）

使用真空热板烘烤，再使用高温退火炉，降低样片的温度。

推荐设备：

NDK系列热板

JetLight/JetFirst系列高温退火炉

对准曝光（Alignment & Exposure）

精准套刻，使用接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当。

推荐设备：

NXQ系列光刻机

后烘（PEB，PostExposure Baking）

加热板烘烤加热。

显影（Development）

旋转喷淋式显影方案，采用的是高精准控制压力喷嘴，喷射的扇形角度可以随压力和流速予以精准调节。可以根据样片的尺寸大小来调节喷射扇形面积，避免扇形过大，浪费试剂。

推荐设备：

EDC湿法显影设备

硬烘（Hard Baking）

使用热板烘胶，坚膜烘焙。

刻蚀（Eching）

反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。

推荐设备：

Minilock-PhantomIII 刻蚀系统

检测（Testing）

晶圆片封装前需要检测，可使用探针台，显微镜来检测。

推荐设备：

四点探针系统

显微镜检测系统