目前,在半导体器件制造工艺中,特别是在用大园片投片进行研制和生产小、中、大规模集成电路中,用等离子去胶代替常规化学溶剂去胶及湿氧、高温干氧去胶,已显示出大的优越性。该工艺不仅操作简单,成本低,去胶速率高,基片温度低,表面清洁,不碎片,可节约大量的化学溶剂,消除丙酮、酸雾及废酸带来的环境污染,同时去胶完后,不用丙酮棉花对硅片表面拭胶。因而,可大幅度提高管芯成品率及器件可靠性。

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料。PlasmaSTAR®系统拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。其中较典型的等离子处理工艺包括：

▪ 等离子预处理

▪ 光刻胶去胶

▪ 表面处理

▪ 各向异性和各向同性蚀刻

▪ 故障分析应用

▪ 材料改性

▪ 封装清洗

▪ 钝化层刻蚀

▪ 聚酰胺刻蚀

▪ 促进粘合

▪ 生物医学应用

▪ 聚合反应

▪ 混合清洗

▪ 预键合清洗

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统设计独特且多样化。其功能包括用于操作台面上，占地面积小，或层流安装，以及用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统用于研究、工艺开发和批量生产。 PlasmaSTAR®系统可轻松集成到自动化生产线和系统中。

该系统基于模块化设计理念，可适应各种PCB的尺寸。此设计适用于任何尺寸的基片。

PlasmaSTAR®系统提供多个电极模块，如LF（KHz）或13.56（MHz）的射频电源以及自动匹配网络。根据不同的等离子处理工艺选择不同的电极模块。

基本系统

PlasmaSTAR®通用基本系统包括必需的阀门、真空泵浦、射频电源、射频匹配器、工艺气体控制和系统控制。这些配置组合提供了一套全自动化等离子处理系统。通用基本系统可容纳不同的腔室和电极模块，这些模块可轻松放入其中。该系统可快速从一款普通的圆柱形等离子体处理系统转换为一款用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极系统或是带支架的混合等离子清洗系统。

腔室/电极

PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝。 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。

等离子体源

该系统可选配LF（KHz）或13.56（MHz）射频电源以及自动匹配网络。

真空泵浦系统

该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油（惰性泵油），适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器（MFC）的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。

电脑控制

触摸屏电脑控制，提供无线程序存储。多步骤工艺简单易存。实时显示工艺条件。 该控制系统易于编程。 工艺处理可用条形码读取（选配）。

规格

PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（宽）x 850（深）x 525（高）mm；重量：约150 Kg。

PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,033（宽）x 850（深）x 635（高）mm；重量：约220 Kg。