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反应离子刻蚀系统
PlasmaSTAR® 100
Minilock-Phantom III 刻蚀系统
Phantom III反应离子刻蚀机
Sirus T2 - 台面式反应离子刻蚀机
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详情介绍

反应离子刻蚀系统

RIE,全称是Reactive Ion Etching,反应离子刻蚀,是一种微电子干法腐蚀工艺。

RIE是干法蚀刻的一种方式,其原理是当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面,经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞,而直接向试样撞击。为达到此目的,对真空度,气体流量,离子加速电压等进行调整,同时,为得到高密度的等离子体,需用磁控管施加磁场,以提高加工能力。

  我司提供多种型号的RIE刻蚀系统,满足国内客户研究和生产的需要。


台式RIE刻蚀机(Benchtop Reactive Ion Etching System)




深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System)



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