光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻即在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
系列型号（根据曝光基片的尺寸范围选择合适的型号
NXQ8006M 自动型（可处理大到6英寸的基片）
NXQ8008M 自动型（可处理大到8英寸的基片）
NXQ8006 自动型，带机械手（可处理大到6英寸的基片）
NXQ8008 自动型，带机械手（可处理大到8英寸的基片）
NXQ8012 自动型，带机械手（可处理大到12英寸的基片）
参数配置
项目名称 | 参数说明 |
曝光模式 | 接近式，接触式（软接触，硬接触，真空接触） |
曝光分辨率 | 3 um（接近式 @20um gap） 2 um（软接触） 1 um（硬接触） 0.5um(真空接触模式) |
基片尺寸 | NXQ8006：5mm到150mm的圆片或者方片 NXQ8008：5mm到200mm的圆片或者方片 NXQ8012：5mm到200mm的圆片或者方片 |
掩模尺寸 | 2”x2”到9”x9”（2”x2”要求掩模转接托盘） |
生产效能&对准精度 | 单次掩膜对准模式 （200+ 片/小时） 单面自动对准模式（接触式@±0.5um 140+ 片/小时） 单面自动对准模式（接近式@±0.5um 140+ 片/小时） 双面自动对准模式（接触式@±0.75um120+ 片/小时） 双面自动对准模式（接近式@±0.75um120+ 片/小时） |
对准台 | X-Y轴和Theta 马达驱动控制，带自动居中对准功能。 |
X-Y 移动范围 | +/- 4.0mm, @ 100nm 分辨率 |
Theta旋转范围 | +/- 7.5 ° @ 0.00004 分辨率 |
掩模/晶圆片间隙范围 | 0–1000um @ 1um 分辨率 |
显微镜 | 左显微镜X轴移动范围 | -22mm~晶圆边缘 |
补偿物镜移动范围 | -5.5 ~晶圆边缘 |
右显微镜X轴移动范围 | +22mm ~晶圆边缘 |
补偿物镜移动范围 | +5.5 ~晶圆边缘 |
右/左 显微镜Y轴移动范围 | +/- 12.7mm |
可扩展的Y轴移动范围 | + 12.7mm~ -100mm 若采用分裂平板对准，可扩展到150mm |
显微镜说明 | Quadcam显微镜（同时配置有近距和广角镜头） |
物镜说明 | 标配为5倍校正时物镜，2倍，7.5倍，10倍和20倍备选 |
紫外曝光 光源系统 | 紫外灯源 | 350W/500（标配），500W/1000W（选配） |
曝光波长范围 | UV (350-450 nm) （标配） NUV(280-350nm) （选配） MIDUV(280-450nm)（选配） DUV(220-280nm) （选配） |
紫外光强均匀性 | 小于±1% @2英寸的基片 小于±2% @4英寸的基片 小于±3% @6英寸的基片 小于±4% @8英寸的基片 |
系统 运行条件 | 电源输入 | 115VAC,/60 Hz 或 240VAC 50Hz |
压缩气体 | 6.2 ~7.6 bar (90 ~110 PSI) |
真空要求 | -0.7 bar (21” Hg) |
氮气（或清洁干燥气体） | 4.2 bar (60 PSI) |
外围条件 | 外形尺寸（带机械手） | 1638mmx1213mmx 1423mm (64.5”x47.75”x 69.7”) |
外形尺寸（无机械手） | 813mmx1213mmx 1423mm (32”x47.75”x 69.7”) |
设备净重 | 953Kg ( 2100 lb带机械手) ；680Kg（1500 lb无机械手） |
