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光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻即在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

Mask Alignment System

紫外掩膜对准曝光系统

NXQ4000系列半自动型

恩科优（NXQ）4000系列半自动掩膜对准曝光系统，融合了独立的模块化设计，精准控制对准和曝光等特点。自动程序控制使得该系统易于操作存储和使用，适合实验室多用户使用。该系统以其卓越的性能，经济的价格，深受全球用户喜爱，截止2011年底，超过4000台NXQ光刻机遍布全世界的科研实验室、研发中心和工业生产线。

适用领域（包括但不限于下述领域的光刻工艺）

微电子

LED/HB LED

3D IC/晶圆制造工艺

2.5D Interposer

MEMS

BioMEMS

微流控芯片

化合物半导体

太阳能（HCPV）

光电子

系列型号（根据曝光基片的尺寸范围选择合适的型号）

NXQ4006 半自动型（可处理大到6英寸的基片）

NXQ4008 半自动型（可处理大到8英寸的基片）

参数配置

项目名称		参数说明
曝光模式		接近式，接触式（软接触，硬接触，真空接触）
曝光分辨率		0.5um(真空接触模式)
基片尺寸		NXQ4006：5mm到150mm的圆片或者方片 NXQ4008：5mm到200mm的圆片或者方片
掩模尺寸		2”x2”到9”x9”（ 2”x2”要求掩模转接托盘）
对准台	对准台扫描范围	+/- 16mm
	X-Y 移动范围	+/- 3.8mm
	Theta旋转范围	+/- 7 °
	掩模/晶圆片间隙范围	0–180um
	单面对准套刻精度	＜1.0um
	双面对准套刻精度	＜1.5um（光学对准）＜ 3um（红外对准）
Video View 显微镜移动范围	左显微镜X轴移动范围	-22mm~晶圆边缘
	补偿物镜移动范围	-5.5mm ~晶圆边缘
	右显微镜X轴移动范围	+22mm ~晶圆边缘
	补偿物镜移动范围	+5.5mm ~晶圆边缘
	右/左显微镜Y轴移动范围	+/- 12.7mm
	选配可扩展显微镜Y轴移动范围	+12.7mm, -88mm
紫外曝光光源系统	紫外灯源	350W/500（标配），500W/1000W（选配）
	曝光波长范围	UV (350-450 nm) （标配） NUV(280-350nm) （选配） MIDUV(280-450nm)（选配） DUV(220-280nm) （选配）
	紫外光强均匀性	小于±1% @2英寸的基片小于±2% @4英寸的基片小于±3% @6英寸的基片小于±4% @8英寸的基片
系统运行条件	电源输入	115VAC,/60 Hz 或 240VAC 50Hz
	压缩气体	5.4 bar (80 PSI)
	真空要求	-0.7 bar (21” Hg)
	氮气（或清洁干燥气体）	3 bar (40 PSI)
外围条件	外形尺寸	1220mm x 915mm x 1423mm (48” x 36”x 56”)
外围条件	设备净重	217Kg ( 480 Lb)

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ELC500紫外固化箱

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