Phantom III反应离子刻蚀系统

可适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸，为实验室和试制线生产提供合适的等离子刻蚀能力。

系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片（如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛）。该设备还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。

该工具可选配一个电感耦合等离子(ICP)源。ICP使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能，通过打开室盖，直接将基片装入工艺室。